In modern electronic system or electronic product, the over voltage protection circuit is a popular design against applying a wrong voltage.
as fellows pic1, a typical over voltage protection circuit. It is a very popular that you can find in google.
pic1 |
how does it work?
the pic 1 shows a typical over voltage circuit. it is designed for protection ,if the input voltage is higher than 12V.
接著來講解一下過電壓保護的工作原理,上圖一是一組過電壓保護線路,其設計為輸入電壓在12V以上,則啟動保護,即將電源路徑斷開,以保護後端的電壓。
the pic 1 shows a typical over voltage circuit. it is designed for protection ,if the input voltage is higher than 12V.
接著來講解一下過電壓保護的工作原理,上圖一是一組過電壓保護線路,其設計為輸入電壓在12V以上,則啟動保護,即將電源路徑斷開,以保護後端的電壓。
情況一:當V_input = 12V時
1. D1不導通,則Q2的Base及Emitter為等電壓,等於Q2不導通
2. Q2不導通,則Q1的Gate透過R3及R4連接到地。即Q1 Gate電壓等於0V。
3. Q1為PMOS,若Gate=0V,則Q1的Source及Drain互相導通。
4. Q1的Source及Drain互相導通,則SYS_12V = V_input = 12V
情況二:當V_input < 12V時
1. 特性如V_input = 12V,SYS_12V = V_input。
2. 所以說左側輸入多少電壓,則右側輸出多少電壓。
情況三:當V_input > 13V時
1. D1因為K端電壓大於其崩潰電壓,故有一電流流經D1到地,所以在R1產生一壓降,使得Q2 Emitter電壓略大於Base電壓。
2. 當V_input持續增加,則流經D1及R1的電流增加,這使得R1產生更大的壓降,直到Q2 Emitter的電壓大於Base電壓0.7V時,則Q2導通。
2. 因為Q2導通,則Q2的Collect等於V_input。並透過R3及R4分壓。使得Q1 Gate電壓等於0.5*V_input。
3. Q1為PMOS,若Gate電壓大於0,則Q1的Source及Drain互相不導通。
4. Q1的Source及Drain不導通,使得V_input不會進入SYS_12V,進而保護後面的電路
過電壓保護線路,要注意的事情有:
1. 稽納二極體D1的崩潰電壓決定要啟動過電壓保護的臨界電壓。
2. 要計算R1的電阻,若太小容易造成D1燒毀。
3. Q1的Rds_on若太大,導通時容易造成耗電。
4. Q1的Source及Drain的跨壓上限。
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